眾所周知，在目前的技術(shù)狀態(tài)下，鋁的真空釬焊通過以下方式進(jìn)行：

要釬焊在一起的部件設(shè)置在具有類似于傳統(tǒng)烤箱結(jié)構(gòu)的烘箱內(nèi)，用于在金屬真空中進(jìn)行熱處理，所述部件至少在要進(jìn)行釬焊的水平上具有共晶化合物的電鍍，例如具有鋁和硅基;同時，芯片或晶圓形式的鎂被放置在這些部件附近;

然后在烘箱中以約10@-4至5.times.10@6毫巴的壓力提供相對真空;

然后加熱烤箱直到獲得釬焊溫度（500°C.至600°C之間）。

在加熱過程中，首先通過鎂的氧化（燃燒）獲得氧氣吸收效果（吸氣效應(yīng)），該氧化（吸氣效應(yīng)）始于約350°C的溫度。這種對氧氣的吸收更特別地防止在待處理部件上形成氧化鋁，尤其是在釬焊發(fā)生的水平上。該反應(yīng)還導(dǎo)致水蒸氣的消除（水的還原）。

這種技術(shù)雖然效果很好，但缺點主要是：

不僅在鎂表面而且在整個烤箱內(nèi)部容積中強烈形成氧化鎂（由于鎂的蒸發(fā)）;結(jié)果是氧化鎂對烤箱的污染，氧化鎂在烤箱的打開階段會進(jìn)一步吸收空氣的濕度，然后必須經(jīng)常清潔后者;

濕度;事實上，烘箱內(nèi)存在水蒸氣，特別是由于氧化鎂的濕度導(dǎo)致通常使用油蒸氣擴散的普通真空泵運行不良，并且需要更長的時間才能達(dá)到處理壓力，能耗增加;

過量消耗鎂，鎂是一種相對昂貴的金屬。

本文提出克服這些缺點。

它提供了上述類型的處理爐，但還包括用于支撐烤箱內(nèi)鎂的裝置，以及獨立于用于獲得釬焊溫度的加熱裝置加熱該鎂的裝置。

因此，可以控制鎂的加熱并將其加熱到吸收烤箱內(nèi)氧氣量所需的水平。

因此，避免了氧化鎂的過度形成，特別是避免了高溫下產(chǎn)生的鎂蒸氣產(chǎn)生的氧化鎂。很明顯，因此獲得了可觀的鎂節(jié)省，并且大大減少了烤箱的污染。

此外，通過事先加熱氧化鎂，可以在泵送之前和/或期間消除水蒸氣，從而提高泵的效率，并大大減少達(dá)到處理壓力的時間。

另一個特征，烘箱包括伺服控制裝置，用于控制加熱鎂的裝置的功率，作為烘箱內(nèi)氣氛成分的函數(shù)，特別是作為其氧和水蒸氣含量的函數(shù)。

優(yōu)選實施例的說明

如圖所示，該烘箱包括基本上為圓柱形形狀的密封外殼1，可通過未示出的密封門進(jìn)入其內(nèi)部。

該外殼1以本身已知的方式連接到能夠形成相對真空的泵送裝置（未示出），其量級為10@-4至5.times.10@-6毫巴。

烘箱內(nèi)待處理部件的加熱通過使用加熱裝置進(jìn)行輻射來實現(xiàn)，加熱裝置包括：

一個基本上平行六面體形狀的熱外殼2，其壁形成熱屏，并定義一個中央體積V，其中設(shè)置了要處理的部件，該熱外殼是光學(xué)封閉的，但相對于烤箱中所含的氣體沒有密封;和

電加熱電阻4平行于所述壁面設(shè)置，在熱外殼2內(nèi)部。

這些電阻4連接到烤箱外部的電源（未顯示），整體能夠?qū)⒁F焊的零件加熱到650°C量級的溫度。

烘箱還包括，在外殼1內(nèi)部但在熱外殼2的外部，設(shè)置用于加熱鎂的輔助加熱裝置，例如以晶片或芯片的形式，獨立于加熱要處理的部件的加熱電阻4。

在所示的示例中，這些輔助加熱裝置由兩個加熱電阻網(wǎng)絡(luò)5、6組成，它們平行于熱外殼2的垂直壁延伸。

這些電阻5，6由格子壁7，8保護(hù)鎂晶片9，9'固定在其上。然后，加熱電阻5，6的電源由電源電路提供電流，其功率根據(jù)烤箱內(nèi)存在的氣體成分的性質(zhì)，特別是其氧氣和水蒸氣含量進(jìn)行控制。

為此，該電源電路包括電源10和調(diào)節(jié)裝置11，其控制施加到電阻5、6的功率作為對烘箱內(nèi)存在的氣體成分的分析結(jié)果的函數(shù)，并由分析儀12提供。后者通過配備有泵14的采樣回路13接收存在于烘箱內(nèi)的氣體的樣品。

很明顯，使用該設(shè)備，可以獨立于要釬焊的零件的加熱3來加熱鎂（板9，9'），從而在泵送之前和/或泵送期間根據(jù)需要在所需時間產(chǎn)生吸氣劑效應(yīng)。

此外，通過調(diào)節(jié)這種加熱作為氧氣的函數(shù)，烘箱內(nèi)大氣中的水蒸氣含量，氧化鎂的產(chǎn)生以及鎂的消耗可以減少到[敏感詞]必要的水平。

當(dāng)然，如果有必要，可以將鎂處理在零件3附近，以完全去除烤箱中的氧氣和水蒸氣。

在所示的示例中，同時用作電阻4支撐的熱外殼2在外側(cè)由更輕且易于拆卸的外殼15加倍。第二個外殼以細(xì)線顯示，用作外殼 2 的熱屏蔽和鎂阱。處理完成后，可以很容易地將其取出然后清潔。